LST-01　光散射端面扫描缺陷分析

　　LST是破坏性、快速的测试体微缺陷的技术。利用体微缺陷散射入射光，记录散射光的强弱成像即可得到体内缺陷分布图象。用于硅材料的体缺陷和洁净区域的测量。

主要特点：
－可测试300mm硅片；
－可探测的最小颗粒为20nm；
－高速测量；
－可得很快出洁净区域；
－在裂边处CCD照相机自动聚焦，

主要应用：
－表面洁净区域的测量；
－近表面的分析。

SIRM-300　红外体微缺陷扫描分析

　　SIRM-300是非接触，非破坏的微缺陷检测设备。它可以检测包括氧沉积，金属沉积，层错，断层，滑移线和空洞等在内的体硅微缺陷，用于表面洁净区的研究。该设备还能检测GaAs和InP半导体材料。

　　SIRM-300应用于：
－硅片表面洁净区域的选择；
－颗粒尺寸的分布；
－测量晶格缺陷(沉积,层错,滑移线等)；
－GaAs的研究。

DLS-83D　深能级瞬态谱分析

　　DLS-83D集成多种全自动的测量模式及全面的数据分析，可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布。

主要特点：
－高灵敏度，可测量1091/cm3；
－有更宽泛的变温范围；
－有数字电路和模拟电路设置控制；
－软件操作简单，有杂质元素数据库；
－全面的测试模式：
　　温度扫描，频率扫描，深度分布谱，
　　C-V测试，俘获截面测量，光学注入；
　　MOS表面态密度的分布等等。