WT-3000 V-Q　氧化层/界面质量检测

　　WT-3000 Q-V是无接触的氧化层质量监控设备，可测平带电压、击穿电压、氧化层厚度、移动电荷和界面陷阱密度等。相当于无接触CV测试。
　　在WT-3000扫描平台适用于300mm硅片，可集成如下测量技术：
－V-Q/无接触CV法检测氧化层质量
－SPV/表面光电压法测扩散长度
－u-PCD/微波光电导衰减法测少子寿命
－JPV/无接触测试方块电阻
－Fe, Cr, Cu/重金属含量测试

EPIMET300　非接触外延电阻率测试平台

　　Epimet系列是业界领先的外延电阻率测试平台，它采用了非接触的测量模式，测量之后的硅片没有沾污；与汞探针和肖特基测试法有很好的一致性。Epimet系列包括Epimet300，Epimet 2DC和Epimet 2。

主要特点：
－外延类型: P/P+, N/N+, P/P-, N/N+/P+;
－测量范围: 0.1 Ohm.cm-1000 Ohm.cm
－全自动硅片处理;
－无接触、无损伤的外延电阻测试;
－独特地PTC干法处理;

SSM 6300

　　FastGate可以快速地测量超薄二氧化硅或氮化硅的厚度和质量，可以测量低于2nm的二氧化硅层的物理或电学性能。提高了测试速度，每小时能处理60片硅片。

主要特点:
－在线测试能力,在硅片的划线区域测量；
－高速测量,每小时测量六十片(测五点)；
－准确测量,机械系统具有99%的准确率；
－测量全面,测量CV/IV参数,适应300mm；
－能够测量0.35um；

SSM 495

　　Hg C-V是破坏性地测量半导体材料的电学性能的设备。它无需制作金属或多晶硅测试结构。可以精确的进行单点测量或是高密度的全面扫描。汞探针技术还可以描述低K材料的介电常数、外延层电阻率、平带电压、氧化层质量描述等等方面的应用。利用气压控制汞接触面积，精确的控制接触面积可以保证测量的重复性。

设备特点：
－单点测量或多点扫描；
－硅片尺寸可以为75mm到200mm；
－硅片测量面朝上，确保表面没划伤；
－接触面积的高度重复性保证测量重复性；
－高度的灵敏度和精确度；